BSS308PEH6327 دیتاشیت

BSS308PEH6327XTSA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSS308PEH6327XTSA1
حجم فایل 70.936 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت BSS308PEH6327XTSA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSS308PEH6327
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@11uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@10V,2A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه